Панчева Г. М. Технологія кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями

Об'єкт дослідження: технологія покриттів сульфідом кадмію для фотоелектричних перетворювачів. Мета дослідження: розробка фізико-хімічних основ технології кадмійвмісних багатошарових покриттів з визначенням параметрів технологічного процесу. Методи дослідження: газова та рідинна хроматографія, фотометричний та титриметричний методи, рентгенівська дифрактометрія, оптична та електронна скануюча мікроскопія. Теоретичні та практичні результати: розроблено технологію кадмійвмісних багатошарових покриттів з фотоелектричними властивостями, яка дозволяє одержувати кадмійвмісні покриття з фотоелектричними характеристиками, що забезпечують формування ФЕП з ККД до 10 %, запропоновано принципову схему технології, конструкцію основного апарату. Установлено вплив температури, концентрації реагентів на якість отриманих плівок та їх фотоелектричні властивості. Наукова новизна: уcтановлено хімізм процесу осадження сульфіду кадмію в лужному аміачному середовищі; визначено структуру хімічно осадженого CdS зі структурою сфалериту; установлено раціональні температурні та концентраційні показники технологічного процесу; досліджено морфологію отриманих покриттів та її зв'язок з фотоелектричними властивостями. З'ясовано, що у результаті зменшення дефектів підвищуються фотоелектричні характеристики гетероструктури Ti/CdS; доведено, що легування Zn покращує фотоелектричні показники у порівнянні з чистим CdS в 3 рази, а введення сполуки Ni - в 2 рази. Ступінь впровадження: ефективність розробленої технології підтверджена позитивними результатами дослідно-промислових випробувань в Державному науково-дослідному і проектному інституті основної хімії, ТОВ НВП "Хімстандарт" та ТОВ НВП "SINТА". Результати досліджень впроваджено в навчальний процес НТУ "ХПІ".