Таранюк В. І. Отримання кристалів галогенідів гарнісажним методом

Дисертація присвячена розробці технології отримання кристалів галогенідів гарнісажним методом. У ході виконання роботи створено два типу обладнання - лабораторна і напівпромислова гарнісажні установки, які дозволили вирощувати кристали розміром від 30х10 мм до 250х180х90 мм без застосування платини.За допомогою чисельного моделювання та експериментальних досліджень визначено особливості тепло- і масообміну на всіх етапах процесу вирощування кристалів NaI гарнісажним методом. Встановлені температурні градієнти і контрольні параметри процесу вирощування.Запропоновано спосіб контролю швидкості кристалізації за допомогою рухомого електроконтактного датчика рівня розплаву. Встановлено особливості зміни швидкості кристалізації. На прикладі отримання кристалів NaI(Tl), LiF, PbF2 показано, що кристали мають блокову структуру, а їх функціональні характеристики знаходяться на одному рівні з кристалами, вирощеними класичними методами.