Котвицька К. А. Вплив дефектів різної морфології на магніторезистивні властивості монокристалів ReBa2Cu3O7-delta (Re = Y, Ho, Pr).

Об'єкт: Купратні сполуки сімейства ReBa2Cu3O7-delta (Re = Y, Ho, Pr). Мета: вирішення задачі, спрямованої на з'ясування фізичної суті впливу точкових і площинних дефектів на магніторезистивні властивості сполук ReBa2Cu3O7-delta (Re = Y, Ho, Pr) та встановлення закономірностей формування стану з провідністю - перехід діелектрик - метал, надпровідник - фермі - рідинний метал - ненадпровідник при варіюванні концентрації носіїв, за умов зміни концентрації лабільної компоненти в широкому інтервалі, а також заміни елементів, які входять до складу цих сполук. Методи: монокристали YBa2Cu3O7-delta вирощували за розчин-розплавною технологією у золотому тиглі. Структурні дослідження проводили за методами рентгенівської дифрактометрії, електронної та оптичної мікроскопії. Концентрацію точкових дефектів (вакансій кисню) змінювали шляхом варіювання температури відпалювання кристалів в атмосфері кисню. Резистивні вимірювання проводили за стандартним чотирьохконтактним методом. Результати: Вперше показано, що в слабкодопованих празеодимом (х=0,05) монокристалічних зразках із заданою топологією площинних дефектів Y1-xPrxBa2Cu3O7-delta, на відміну від бездомішкових зразків YBa2Cu3O7-delta, прикладання високого тиску приводить до істотного зростання величини баричної похідної dТс/dP. Вперше показано, що зниження ступеня допування киснем в зразках ReBa2Cu3O7-delta (Re = Y, Ho) приводить до посилення ефектів локалізації та здійснення в системі переходу виду метал-діелектрик, який завжди передує надпровідному переходу. Вперше показано, що прикладання постійного магнітного поля (до 15 кЕ) до роздвійникованих (монодоменних) монокристалів YBa2Cu3O7-delta з малою нестачею кисню, на відміну від аналогічних зразків, оптимально допованих киснем, приводить до появи додаткового низькотемпературного максимуму на температурних залежностях надлишкової провідності в базисній ab-площині, обумовленого пригніченням динамічного фазового переходу виду "порядок-безпорядок". Галузь використання: фізика твердого тіла, фізика напівпровідників