Денисюк Н. М. Електронна структура і оптичні властивості сполук APb2X5 і Tl3PbX5 (A= K, Rb, Tl; X= Cl, Br, I) - перспективних матеріалів нелінійної оптики.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Київ, 2016. У дисертаційній роботі досліджено електрону структуру і оптичні властивості низки галогенідів типу АPb2X5 і Tl3PbX5 (А= Tl, К, Rb; X = Cl, Br, I) - надзвичайно перспективних матеріалів нелінійної оптики. Зокрема, на основі "першопринципних" зонних розрахунків, котрі ґрунтуються на теорії функціональної щільності (density functional theory, DFT) були отримані повні і парціальні щільності станів складових атомів сполук АPb2X5 та Tl3PbX5 і встановлено, що досліджувані галогеніди - непрямозонні напівпровідники. Результати проведених зонних розрахунків дають змогу стверджувати, що основний внесок у валентну зону (переважно у її верхню та центральну частини) сполук TlPb2X5 i Tl3PbX5 здійснюють валентні Хр-стани, в той час як дно та нижня частина валентної зони формуються переважно за рахунок внесків Pb6s- і Tl6s-станів. Дно зони провідності сполук TlPb2X5 i Tl3PbX5 формується, головним чином, за рахунок незаповнених Pb6р-станів із суттєвим внеском також Хр-станів. У роботі досліджено рентгенівські фотоелектронні спектри внутрішніх та валентних електронів галогенідів АPb2X5 і Tl3PbX5, а також рентгенівські емісійні смуги, які відображають енергетичний розподіл Br4p i K4s-станів. Результати рентгенівської фотоелектронної спектроскопії свідчать про низьку гігроскопічність та високу хімічну стійкість поверхні монокристалів АPb2X5 і Tl3PbX5.