Кудрик Р. Я. Електронні властивості тонкоплівкових нанорозмірних омічних та бар'єрних контактів до широкозонних напівпровідників GaN та SiC.

В дисертації представлені результати комплексного дослідження процесів, що відбуваються в омічних та бар'єрних контактах з дифузійними бар'єрами на основі наноструктурних плівок TiB2 до широкозонних напівпровідників SiC та GaN, опублікованих у 20 наукових працях. Показана залежність термічної стійкості бар'єрних контактів Au-TiB2-n-6H SiC від параметрів плівки TiB2. Визначено оптимальні розміри нанокристалітів та продемонстровано стабільність електрофізичних параметрів контактів після відпалу при Т = 1000°С. Виявлено, що для контактів з бар'єром Шотткі Au-TiB2-n-GaN вольтамперна характеристика при кімнатній температурі має дві характерні ділянки, на яких переважають польовий та термоелектронний механізм струмоперенесення. Показано, що струмоперенесення може бути пов'язаним з тунелюванням з торця шунтуючих дислокацій, котрі перетинають область просторового заряду.Показано відсутность дифузії та підтверджено структурну цілісність наноструктурованого шару TiB2 при високих температурах обробки і стабільність омічних контактів Au-TiB2-Ni-n-SiС та Au-TiB2-Al-Ti-n-GaN-i-Al2O3 при Т = 900 °С. Визначено домінуючі механізми струмоперенесення, розраховано питомий контактний опір, що виявився на рівні кращих значень інших авторів.