Яровець І. Р. Особливості наносистем на основі халькогенідних напівпровідників з природними наноструктурованими матрицями.

Робота присвячена дослідженню наносистем на основі поверхонь халькогенідних напівпровідників з природними наноструктурованими матрицями. Досліджено топографію, атомну, електронно-енергетичну структуру та елементнофазовий склад поверхонь телуриду галію (GaTe), селенідів індію (Іn4Se3, InSe) та їх інтеркалатів (AgхIn4Se3, NiхInSe). Структурні дослідження гібридної системи NixInSe дають підстави стверд-жувати про розміщення інтеркалянта лише у міжшарових щілинах. Встановлено, що поверхні сколювання (ПС) GaTe зазнають локальної у наномасштабі реконструкції, і тому є непридатними як підкладки для формування наносистем на їх основі. ПС (100) In4Se3 мають борознисту структуру, є структурно стабільни-ми, не зазнають атомної реконструкції у широкому температурному діапазоні 77-295 K, а тому можуть бути використані як анізотропні, слабко провідні матриці/підкладки для створення поверхневих провідних нанодротів, наношнурів і наноточок та інших низькорозмірних структур. Розраховано фактор Дебая-Уол-лера і температуру Дебая для ПС (100) Іn4Se3 та встановлено, що вона відрізняється від температури Дебая для об'єму ШК In4Se3. Формування низькорозмірних пірамідальних індієвих структур на ПС (100) Іn4Se3 відбувається за механізмом Фольмера-Вебера аж до моменту утворення наноточками індію неоднорідної плівки, подальший ріст якої відбувається за механізмом Странського-Крастанова. Наноточки переважно формуються на ПС (100) Іn4Se3 з низькою електропровідністю, а квазіодномірні структури - на ПС ШК з високою провідністю. Встановлена відсутність реконструкції ПС (100) спеціально інтеркальованих сріблом ШК AgхIn4Se3 які показують добру відповідність параметрів поверхневої і об'ємної ґраток і наявність дріб-нодисперсних кластерів срібла на ПС (100) ШК AgхIn4Se3.