Омельченко Л. В. Надлишкова провідність в купратних високотемпературних надпровідниках REBa2Cu3O7-d (RE=Y, Pr)

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0417U004549

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

21-11-2017

Спеціалізована вчена рада

Д 64.175.03

Фізико-технічний інститут низьких температур імені Б. І. Вєркіна Національної академії наук України

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню основоположних електронних процесів і взаємодій, які формують нормальну і надпровідну фазу у високотемпературних надпровідниках YBa2Cu3O7-d, як при зміні рівня допування киснем, так і при прикладанні гідростатичного тиску до 1 ГПа, а також в сполуках типу Y1-xPrxBa2Cu3O7-d і YBa2Cu3O7-d - PrBa2Cu3O7-d при зміні вмісту магнітних атомів Pr і шарів PrBa2Cu3O7-d для отримання інформації про фізичну природу взаємодії надпровідності і магнетизму. Виявлено, що основний механізм взаємодії надпровідних флуктуацій і магнетизму має однакову фізичну природу в вивчених високотемпературних надпровідниках, де надпровідні флуктуації можуть співіснувати з магнетизмом.

Файли

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів