Семків І. В. Структурно-допентна модифікація аргіродиту Ag8SnSe6 для елементів резистивної пам'яті

Дисертацію присвячено дослідженню фізичних властивостей полікристалів і тонких плівок аргіродиту Ag8SnSe6, фізико-хімічних основ технології їх одержання та створенню резистивно перемикаючих комірок на їх основі. Оптимізовано фізико-хімічні основи одержання полікристалічного Ag8SnSe6 та розроблено ефективну технологію отримання тонких плівок аргіродиту методом селенізації металічної плівки Ag-Sn. Одержані полікристали та тонкі плівки характеризуються орторомбічною структурою просторової групи Pmn21 з близькими за значенням параметрами кристалічної гратки за даними рентгеноструктурного аналізу. Розраховано зонно-енергетичну структуру аргіродиту Ag8SnSe6 та показано генезис утворення зони провідності та валентної зони. Отримано значення ширини забороненої зони 0,75 еВ у наближенні функціоналу локальної густити та 0,66 еВ у методі проекційно приєднаних хвиль. Проведено теоретико-групову класифікацію фононних мод Ag8SnSe6. Показано активність та частоти коливань у спектрах комбінаційного розсіяння та ІЧ-спектрах. Досліджено спектри КРС, у яких спостерігається один пік, що є комбінацією піків при 119,08; 168,43; 200,05 та 216,73 см-1, які відповідають високосиметричним коливанням симетрії A1 та піків при 150,73 та 212,75 см-1, що відповідають коливним модам В1 та В2 відповідно. У спектрах поглинання в інфрачервоному діапазоні край фундаментального оптичного поглинання знаходиться при 1512 нм та відповідає міжзонному переходу з енергією 0,82 еВ. Отримано температурну залежність фотолюмінесценції аргіродиту Ag8SnSe6. Спектри характеризуються одним асиметричним піком, який є комбінацією двох рекомбінаційних піків з максимумами за 0,85 та 0,74 еВ. Створено твердотільну електрохімічну комірку на основі тонких плівок аргіродиту Ag8SnSe6 з активним до іонів Ag+ срібним та блокувальним до них графітовим електродами. Виявлено ефект резистивного перемикання. Проведено імпедансні дослідження комірки та моделювання відповідних процесів електричними еквівалентними схемами.