Іляш С. А. Кінетика фотопровідності та механізми рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в бар’єрних структурах InGaAs/GaAs та Ge/Si

Дисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню особливостей релаксації фотозбудження у бар’єрних структурах з нанорозмірними об’єктами InGaAs та Ge/Si і визначенню механізмів фотопровідності у таких гетероструктурах. Визначено роль квантово-розмірних станів нанооб’єктів та енергетичного розупорядкування у процесах рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в бар’єрних структурах на основі гетеропереходу InGaAs/GaAs та Ge/Si. Показано, що явище довготривалої фотопровідності з неекспоненційною релаксацією фотозбудження, виявлене у структурах з нанооб’єктами, пояснюються просторовим розділенням зарядів збуджених електронно-діркових пар локальними електричними полями та впливом глибоких пасток в оточенні наноструктур. Визначено роль наноструктур у релаксації фотозбудження та розтлумачено явище збільшення часу загасання фотоЕРС та фотоструму при легуванні квантових точок InAs домішками донорного типу. Вперше показано, що присутність квантових точок InGaAs в області просторового заряду p-i-n діодів призводить до розширення спектрального діапазону в ІЧ область (до 1.2еВ), а їх легування кремнієм збільшує час життя нерівноважних носіїв заряду на порядок. Ключові слова: квантові точки, квантові нитки, гетероструктури, процеси рекомбінації заряду, наноструктури, InAs/InGaAs, Ge/Si, фотопровідність, квантово-розмірні стани.