Для виконання досліджень спектрально-кутових характеристик параметричного рентгенівського випромінювання (ПРВ) при розповсюдженні високоенергетичних електронів з енергією 7 МеВ у кристалах на базі експериментальної установки «Рентген 1» розроблено та відпрацьовано методику збудження та реєстрації ПРВ у геометрії зворотнього розсіювання, зокрема, в області кутів спостереження 150°–180° відносно напряму розповсюдження електронного пучка. Це дозволило забезпечити рівень сигналу на рівні 1–3% від рівня загального радіаційного фону, що достатньо для достовірної реєстрації спектрів ПРВ при відповідному виборі часу накопичення у каналі реєстрації. Для збільшення інтенсивності ПРВ теоретично передбачено можливість звуження конусу ПРВ та зростання кутової густини ПРВ при розповсюдженні релятивістських електронів у тонких кристалах в області малих кутів ковзання електронного пучка відносно поверхні мішені. Експериментально визначено спектрально-кутові розподіли інтенсивності ПРВ при розповсюдженні високоенергетичних електронів у монокристалічному кремнії та високоорієнтовному піролітичному графіті (ВОПГ) для геометрії реєстрації у задній напівсфері. Виявлено, що кутові орієнтаційні залежності інтенсивності максимумів (220) Si та (002) ВОПГ містять два симетричних максимуми, які відображують переріз конусу ПРВ перпендикулярною до осі конусу площиною. Експериментально показано, що при розповсюдженні пучка високоенергетичних електронів у порошкових зразках алмазу з розмірами кристалітів d = 0,3–42 мкм при реєстрації у задній напівсфері (θ = 151°) відношення інтенсивностей максимумів ПРВ (111) та (220) зменшується при зростанні розміру кристалітів алмазу. Зокрема, при переході від частинок з d = 0,3 мкм до частинок з d = 6 мкм таке зменшення складає 1,9 рази. За умови збудження KαL1 спектрів Ti, V та Cr електронним пучком (25 кеВ) експериментально встановлено зменшення відносної інтенсивності χ = I(3P)/I(1P) при переході від металів до відповідних оксидів у 1,6–1,9 рази. Показано, що в оксидах ванадію у ряду V2O3 – VO2 – V2O5 зростання ефективного позитивного заряду атому V супроводжується монотонним зменшенням відносної інтенсивності χ від 2,4 до 1,8. Запропоновано модель ефекту зменшення відносної інтенсивності I(3P)/I(1P) у KαL1 спектрах. При збудженні KαL1, KαL2 та KαL3 спектрів Al електронами у діапазоні енергій 4,5–100 кеВ експериментально визначено імовірності утворення двох (P2) та трьох (P3) додаткових 2р вакансій при іонізації 1s оболонки. Порівняння вказаних величин зі значеннями, обчисленими у моделі незалежного викиду 2р електронів за рахунок (shake–off) SO процесу, виявило, що для металу Al величина P2/P2(SO) у 1,2 разів менша, а величина P3/P3(SO) у 1,7 разів менша, ніж для напівпровідника кремнію.
