Сай П. О. Омічні контакти до нітрид індієвих епітаксійних плівок

Дисертація присвячена дослідженню багатошарових омічних контактів до n InN, напівпровідникового матеріалу перспективного для високочастотних транзисторних структур. В роботі проаналізовано використання швидких термічних обробок з метою оптимізації властивостей отриманих омічних контактів. Встановлено, що омічні контакти Pd/Ti/Au до n-InN можуть формуватися в об’єднаному технологічному процесі, який полягає в одночасному використанні методів магнетронного напилення металізації та термічної обробки при 350 °С. Статистичними методами визначено оптимальні параметри технологічних обробок та показано, що додаткові швидкі термічні обробки призводять не лише до зниження середнього значення питомого контактного опору, а й до зниження значення дисперсії його розподілу. Виявлено, що в діапазоні температур 4,2-380 К для досліджених омічних контактів до n-InN з рівнями легування 2 • 1018 см-3, 8 • 1018 см-3 та 4 • 1019 см-3 характерний металічний механізм струмопереносу по шунтах, що спряжені з дислокаціями в плівках нітриду індію. Показано, що дані шунти можуть формуватися як в процесі дифузії атомів паладію в процесі магнетронного напилення металізації, так і дифузії атомів індію по дислокаціях у випадку збагачення поверхні епітаксійних плівок індієм, що може відбуватися завдяки специфіці епітаксійного росту плівок InN. Для всіх цих випадків досягнуто узгодження густини металевих шунтів, розрахованої аналітично з теоретичної моделі, та густини дислокацій, визначеної експериментально за допомогою високороздільної X-променевої дифрактометрії.