Бондар І. С. Вплив неоднорідностей кристалічної структури на електронні властивості гексагональної модифікації дихалькогеніду ніобію та графену

Дисертацію присвячено аналізу особливостей поведінки матеріалів на основі графену та гексагональної модифікації шаруватого з’єднання діселеніду ніобію з дефектами при зміні температури, виявленні їх загальних закономірностей і можливостей управління їх електронними властивостями. В рамках дослідження встановлено, що зв’язок мінімумів на температурних залежностях КЛТР та максимумів на розрахункових залежностях відношень похідних СКЗ дозволяє перевіряти (або ж добувати) інформацію про міжатомну взаємодію в сильноанізотропних кристалічних структурах. Крім того, на основі аналізу температурних залежностей СКЗ були встановлені інтервали стабільності плоскої форми досліджуваних наноутворень. Вперше виявлено і проаналізовано аномалії температурної залежності коефіцієнтів лінійного теплового розширення вздовж різніх напрямків: в шаруватих кристалах, сформованих як моноатомними шарами (графенові наноплівки), так і багатошаровими «сендвічами» (дихалькогеніди перехідних металів). А також визначено, що в електронних спектрах атомів підґратки, що не містить вакансію (тобто тієї підґратки до якої належать її найближчі сусіди), виникають локалізовані рівні з єнергією поблизу фермієвської, в той час як LDOS атомів підґратки, що містить вакансію, рівна нулю (як і у бездефектного графену). І показано, що зубці на ланцюжках атомів з порушеними зв’язками сприяють збільшенню густини електронних станів поблизу рівня Фермі.