Чайка М. В. Фізико-хімічна взаємодія монокристалів СdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe і CdxHg1-xTe з травильними композиціями K2Cr2O7 – мінеральна кислота – розчинник

Встановлено закономірності фізико-хімічної взаємодії монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe і СdxHg1-xTe з водними розчинами систем K2Cr2O7 – мінеральна кислота – розчинник. Визначено вплив органічного компонента та природи напівпровідників на швидкість і характер розчинення, стан обробленої поверхні цих монокристалів. Виявлено, що їх взаємодія з полірувальними розчинами лімітується стадією дифузії. Із аналізу залежностей швидкості полірування від температури підтверджено існування компенсаційного ефекту в кінетиці хімічного розчинення СdTe, ZnxCd1-xTe і СdxHg1-xTe у бромвиділяючих розчинах K2Cr2O7– HBr – розчинник. Досліджено процес хіміко-механічного полірування поверхні напівпровідників травильними композиціями K2Cr2O7 – HBr – ЕГ (C4H6O6) і встановлено вплив природи модифікаторів в’язкості на швидкість розчинення та стан полірованої поверхні. Створено серію нових повільних полірувальних травників з контрольованою швидкістю розчинення досліджуваних матеріалів (0,1-10,3 мкм/хв), що дозволяє використовувати їх для потоншення пластин до заданих розмірів, зняття тонких шарів матеріалу та фінішної обробки поверхні монокристалів і плівок. Ключові слова: хімічне розчинення, бромвиділяючі розчини, поверхня, тверді розчини, травлення, полірування, травильні композиції.