Шпилинська О. Л. Вирощування сильнолегованих кристалів CsI:Tl для ідентифікації заряджених частинок за атомним номером та масою

В роботі запропановано шляхи отримання сильнолегованих кристалів CsI:Tl (CTl>0,15 мол. %) за допомоги содопування аніонами (IO3- та NO2-). Досліджено сци-нтиляційні характеристики вирощених кристалів. Встановлено вплив IO3- та NO2- іо-нів на функціональні параметри сцинтилятора CsI:Tl. На основі результатів дослі-дження запропоновано неруйнуючий метод контролю IO3 и NO2 домішок. Встановлено, що наявність неконтрольованої технологічної домішки Ba2+ при-зводить до збільшення рівня післясвічення в мілісекундному діапазоні в кристалах CsI:Tl. Показано, що негативний вплив іонів барію може бути зменшено завдяки до-датковому легуванню матеріалу Eu2+ - іонами. Запропоновано механізм, що пояснює позитивну роль Eu2+ - іонів у зниженні рівня післясвічення матеріалу. Запропоновано гідрофобне захисне покриття на основі фторопластового лаку, що захищає поверхню сцинтилятора від негативного впливу атмосфери. Запропоно-вана в роботі попередня обробка поверхні кристала гексаметилдисилазаном підви-щує адгезію плівки до кристалу CsI:Tl і дозволяє, за рахунок зниження товщини плі-вки, збільшити світловий вихід -детекторів на 21%, а енергетичну раздільну здат-ність знизити від 6,28 до 4, 96%. Ключові слова: монокристал, йодат цезію, метод Стокбаргера, твердий розчин, сцинтилятор, активатор, домішка, світловий вихід, енергетична роздільна здатність, люмінесценція