Матвієнко О. О. Закономірності формування та властивості нанокомпозитних плівок на основі фоточутливих полімерів та напівпровідникових наночастинок

Дисертація присвячена розробці технології отримання нових емісійних матеріалів для структур світловипромінюючих діодів – полімер-неорганічних нанокомпозитів на основі наночастинок CdSeZnS та фоточутливих полімерів (PVK, PFO). В залежності від енергії міжфазної взаємодії полімер/НЧ, яка варіювалась спорідненістю хімічних структур полімерної матриці і інтерфейсного модифікатора НЧ отримано плівки з трьома типами фазового розподілу: вертикальним (PVK-CdSeZnS/TOPO, PVK-CdSeZnS/AD, PFO-CdSeZnS/CD), латеральним (PVK-CdSeZnS/PY), однорідним (PVK-CdSeZnS/CD, PFO-CdSeZnS/TOPO, PFO-CdSeZnS/AD). Проведена порівняльна характеристика нанокомпозитів у площині фазовий стан/світловий вихід люмінесценції. Встановлено, що максимальний світловий вихід характерний для нанокомпозиту з однорідним фазовим розподілом. Оптимізовано склад та концентрацію полімер-неорганічних нанокомпозитів товщиною 80-100 нм, отриманих методом spin-coating, з максимальним світловим виходом люмінесценції (φвідн. ≈ 35%): PVK-CdSeZnS/CD (Снч = 54 об.%), PFO- CdSeZnS/TOPO (Снч = 50 об.%). Одержано оптимізовану нанокомпозитну світловипромінюючу діодну структуру ITO/PEDOT:PSS/PFO+CdSeZnS-TOPO/Bu-PBD/Al (яскравість 1,5*103 Кд/м2, ефективність 0,8 Кд/А при напрузі 11 В). Ключові слова: полімер-неорганічний нанокомпозит, плівка, напівпровідникові наночастинки, інтерфейсний модифікатор, світловипромінюючий діод, фазовий стан, вихід люмінесценції, спін-коатінг.