Кардашов Д. Л. Плотность электронных состояний и уровни вакансий в алмазоподобных полупроводниках

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U000302

Облікова картка дисертації

0493U000302.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

27-11-1992

Спеціалізована вчена рада

К 068.48.02

Анотація

Объект исследования: Полупроводники IV группы, полупроводниковые соединения А3В5 и А2В6, диэлектрики SiO2; Si3N4. Цель исследования: Разработка единой методики расчета плотности электронных состояний и уровней дефектов в кристалльных и аморфных твердых телах. Методы исследования и аппаратура: Метод функций Грина; ЭВМ "ДВК-3". Теоретические результаты и новизна: На базе теории функций Грина разработана новая схема расчета энергетического спектра нейтральных вакансий в твердых телах; разработана новая методика расчета плотности электронных состояний в полупроводниках общей структуры в модели кластера с решеткой Бете. Сфера (область) использования: Физика твердого тела, физика полупроводников и диэлектриков.

Читати повністю

Схожі дисертації

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів

0521U102118

Корнющенко Ганна Сергіївна

Структуроутворення і фізичні властивості близькорівноважних металевих, оксидних та багатокомпонентних конденсатів з нанорозмірними елементами