Волчанский О. В. Исследование фотоаккустического эффекта в полупроводниках

Объект исследования: Полупроводники, полупроводниковых структуры, пьезодиэлектрики. Цель исследования: Экспериментальные и теоретические исследования фотоаккустического эффекта и особеннсти формирования фотоаккустического сигнала в полупроводниках при наличии в них пиро- и пьезоэлеткрических особенностей, а также в полупроводниклвых структурах с р-п переходами и областями эпитаксии. Методы исследования и аппаратура: Пьезоэлеткрический и газомикрофонный методы регистрации фотоаккустического сигнала, регитсрация фото-, термо-, и пироэлектроразрушительных сил, переменного фототока. Лазер, ксеновая лампа, монохроматор, радиолектронная аппаратура, ЭВМ. Теоретические результаты и новизна: Исследовано фотоаккустический эффект в пьезополупроводниках и пироэлектриках, термоволновой эффект в р-п переходе термоэлектрической регистрации. Практические результаты и новизна: Определено влияние пьезо- и пироэффета в формировании фотоаккустического сигнала, предложен новых метод измерения пироэлектрического коэффициента, показана возможность фотоаккустической визуализации кремниевых эпитаксальных структур. Сфера (область) использования: Физика твердого тела, полупроводниковое материаловедение и микроэлеткроника.