Мекекечко А. Ю. Синтез и исследование оптических характеристик эпитаксиальных пленочных структур натоснове сульфида и селенида цинка

Объект исследования: Эпитаксиальные слои ZnSe, ZnS, ZnSxSe1-x на подкладке GaAs(100) и квантово-размерные структуры на их основе. Цель исследования: Исследования технологии выращивания высококачественных эпитаксиальных слоев и квантово-размерных структур; изучение влияния лазерного действия на механизм роста. Методы исследования и аппаратура: Рентгеноструктурный анализ: Дрон 2.06 фотолюминисцентный анализ5 ДФС, КАМАК, ФЕП; электронная микроскопия; газофазная система. Теоретические результаты и новизна: Впервые сделаны исследования фотостимулированного роста газовой фазы соединения ZnSe; предложена модель процесса фотостимулированного синтеза селенида цинка. Практические результаты и новизна: Разработанные средства получения высококачественных эпитаксиальных пленок и квантово-размерных структур на основе халькогенидов цинка по технологии фотостимулированной эпитаксии. Предмет и степень внедрения: Многофункицональные покрытия на поверхностти солнечных элементов. Внедрение планируется. Сфера (область) использования: Электроника и микроэлектроника.