Огурцов А. Н. Дефектообразование в криокристаллах ксенона и криптона, стимулирование автолокализацией экситонов в квазимолекулярные состояния

Объект исследования: Твердый ксенон, твердый криптон, твердые растворы ксенон-криптон. Цель исследования: Выяснение особенностей автолокализации экситонов в квазимоллекулярные состояния в кристаллах ксенона и криптона с разным количеством начальных дефектов, а также возможности дефектообразования, вызванного автолокализацией экситонов. Методы исследования и аппаратура: Спектральные исследования криокристаллов в вакуумной ультрафиолетовой области спектра. Автоматизирвоана спектральная установка для регистрации спектров люминесценции. Теоретические результаты и новизна: Экспериментально выявлено дефектообразование в криокристаллах ксенона и криптона, стимулированное автолокализацией в квазимоллекулярные состояния. Выявлен новый конфигурационный механизм дефектообразования. Определено электронное состояние автолокализованного центра, захват в котором приводит у образованию дефекта. Практические результаты и новизна: Получены новые данные о взаимодействии электронной и атомной подсистемы в твердых ксеноне и криптоне, которые важны как для интерпретации других экспериментов, так и для уточнения теоретических представлений о динамике решетчастых возбуждений в атомарных криокристаллах. Сфера (область) использования: ФТИНТ им.Б.И.Веркина АН Украины, ИФ АН Украины, ХГУ, ДонФТИ АН Украины, ИН АН Украины, ИТФ АН Украины, ОГУ.