Попович Д. И. Исследование процессво неравностей лазерной эпитаксии и отжига тонких слоев сложных халькогенидных и металлооксидных соединений

Объект исследования: Составные полупроводниковые /CdHgTe,MuHgTe,CdSeTe/ и металлоокисные соединения Y-Ba-Cu-O. Цель исследования: Установление физических закономерностей импульсной лазерной эпитаксиальной кристаллизаии пленок CdHgTe и Y-Ba-Cu-O. Методы исследования и аппаратура: Структурные, механические, спектроскопические, электрофизические и оптические /ЭММА-3, ДМР-4, СФР-1, ИКС-32/. Теоретические результаты и новизна: Установлены физические закономерности формирования монокристаллических слоев в условиях квазизамкнутого реакционного прост. Практические результаты и новизна: Разрабоано мтеодику создания монокристаллических слоев пригодных для использования в устройствах микро- и оптоэлектроники. Предмет и степень внедрения: Планируется внедение в к-не "Родон" /г. Ивано-Франковск/. Эффективность внедрения: Конструирование электронных устройств с новыми функциональными возможностями. Сфера (область) использования: Опто- микро- и криоэлектроника.