Бондаренко В. В. Влияние особенностей зонной струткуры и механизмов рассеяния на кинетические процессы в объемах и слоистых структурах халькогенидов свинца

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0493U003104

Облікова картка дисертації

0493U003104.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

27-05-1993

Спеціалізована вчена рада

Д 016.04.01

Анотація

Объект исследования: Объемная и слоистые структуры халькогенидов свинца. Цель исследования: Исследование влияния четырех дальних зон и различных типов рассеяния на кинетические коэффициенты в объемных халькогенидах свинца; взаимодействия 2D-электронов с оптическими фононами и подвижности 2D-электронов. Методы исследования и аппаратура: Вариационный метод исследования кинетических коэффициентов. Практические результаты и новизна: Устанолвена величина сплавного потенциала, исследовано вклады органических и граничных фононных мод, электронов высших подзон и непараболичности закона дисперсии в подвижность 2D-электронов. Сфера (область) использования: Опто-, микро-, квантовая электроника.

Читати повністю

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів