Объект исследования: Кристалл кремния с высокой концентрацией примесей: фосфор, бор, водород и вакансионных коплек. Цель исследования: Теоретическое исследование микроскопических механизмов создания и эволюции примесно-дефектных комплексов в условиях китического насыщения кремния дефектами. Методы исследования и аппаратура: Методы функционала электронной плотности и псевдопотенциала с первых принципов. Электронно-вычислительные машины. Теоретические результаты и новизна: В рамках разработанной модели, которая описывает кристалл кремния с концентрацией дефектов, вычислены потенциальные рельефы для смещения сосбтвенных и примесных атомов. Практические результаты и новизна: Получены результаты помогут предвидеть своства сильно легированного кремния, оптимизировать процессы высокодозной ионной имплантации. Сфера (область) использования: Полупроводниковая электронная техника и технология.
