Кабан И. Г. Структура трехкомпонентных расплавов Ga-Ge-Sn и Bi-Ga-Sn в широком температурном и концентраицонном интервалах

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0494U003043

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

16-11-1994

Спеціалізована вчена рада

К 016.37.01

Анотація

Объект исследования: Расплавы Ga-Ge-Sn и Bi-Ga-Sn. Цель исследования: Изучение структуры трехкомпонентных жидких сплавов. Методы исследования и аппаратура: Рентгеновская дифракция. Теоретические результаты и новизна: Впервые проведено моделирование структуры трехкомпонентных металлических расплавов на количественном уровне. Практические результаты и новизна: Исследовано структуру расплавов Ga-Ge-Sn во всей области концентраций. Сфера (область) использования: Теория жидкого состояния, металлургия.

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів