Головина И. С. Исследование примесей дефектов в сегнетоэлектриках методами радиоспектроскопии и диэлектрических измерений

Объект исследования: Монокристаллы системы Sn2P2S6-Sn2P2Se6, монокристаллы КТаО3 и Rb3TI3P5O20. Цель исследования: Установление связи между макро- и микроскопическими поляризационными параметрами сегнетоэлектриков. Методы исследования и аппаратура: Сравнение результатов радиоспектроскопических (ЭПР, ПЭР) и диэлектрических измерений. Теоретические результаты и новизна: Разработан метод определения параметров разложения свободной энергии с помощью метода ЭПР. Практические результаты и новизна: Установлено, что новое соединение Rb3T3P5O20 является сегнетоэлектриком; разработана мтеодика использования параэлектрического резонанса для исследования сегнетоэлектриков. Предмет и степень внедрения: Планируется внедрить новую методику в ВУЗах и научных институтах. Эффективность внедрения: Использование нового мтеода позволит определять параметры поляризации в кристаллах с высокой электророводностью. Сфера (область) использования: В ВУЗах и научно-исследовательских институтах.