Гудь И. З. Эволюция радиационных дефектов в чистых и легированных кристаллах иодистого цезия

Объект исследования: Чистые и легированные анионными и катионными добавками кристаллы иодида цезия. Цель исследования: Изучение особенностей влияния добвок на радиационное дефектообразования в иодите цезия. Методы исследования и аппаратура: Термостимулированной деполяризации, термостимулированной экзоэлектронной эмиссии, оптические мтеоды /СФ-26/. Теоретические результаты и новизна: Впервые установлено основные параметры релаксационных процессов и их радиационно стимулированная смена. Практические результаты и новизна: Предложено комплексную мтеодику исследования радиационных дефектов в галогенидах цезия. Предмет и степень внедрения: Методика получения кристаллов с контролированной чувствительностью к действию радиации. Эффективность внедрения: Используется в производстве элементов памяти, сцинтилляционных материалов, лазерных окон и светловодов. Сфера (область) использования: Физика твердого тела, материаловедение.