Добровольская А. М. Оптимизация структурных и физических характеристик эпитаксиальных слоев на основе соединений А4В6 для фотоэлектрических элементов инфракрасной области спектра

Объект исследования: Эпитаксиальные шары теллурида свинца и олова и их твердого раствора, а также фотоприемники на их основе. Цель исследования: Оптимизировать технологию выращивания исследуемых слоев с целью изготовления на их основе фотоприемников. Методы исследования и аппаратура: Метод математического планирования многофакторных экспериментов. Теоретические результаты и новизна: Аналитические зависимости электрофизических и фотоэлектрических параметров слоев от технологических факторов их выращивания. Практические результаты и новизна: Получены оптимизированные по параметрам эпитаксиальные слои для изготовления на их основе фотоприемников. Предмет и степень внедрения: Методика программированного расчета параметров фотоприемников. Эффективность внедрения: Оптимизация технологии выращивания материалов для фотоприемников. Сфера (область) использования: Технология приборов для оптикоэлектроники.