Царенко Н. А. Напряженно-деформированные состояния в Pb-S-фоторезисторах

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0496U001565

Облікова картка дисертації

0496U001565.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.12.20 - Оптоелектронні системи

10-11-1996

Спеціалізована вчена рада

К 05.18.02

Анотація

Объект исследования: Фотоприемные устройства инфракрасного излучения. Цель исследования: Изучение влияния напряжений на параметры оптоэлектронной системы. Методы исследования и аппаратура: Рентгеновский, ДРОН-3. Теоретические результаты и новизна: Метод определения напряжения в тонкопленочных фоторезисторах. Практические результаты и новизна: Кореляция между механическими и служебными параметрами Pb-S-пленок. Предмет и степень внедрения: Рекомендации по технологии Pb-S-резисторов. Эффективность внедрения: Не рассчитывалась. Сфера (область) использования: Физика, техника фотоприемных устройств.

Читати повністю

Схожі дисертації

0417U000718

Корнага Василь Ігорович

Методи та засоби побудови інтелектуальних систем освітлення на основі синтезу білого світла із заданими спектральними характеристиками

0415U000774

Багачук Денис Геннадійович

Компенсація поляризаційної модової дисперсії на основі одномодового оптичного волокна з анізотропними властивостями

0513U000583

Манько Олександр Олексійович,

Створення ефективних пристроїв оптичного зв'язку та методів їх дослідження

0413U002599

Труш Олександр Вікторович

Покращення показників якості системи управління записом-відтворенням інформації з магнітооптичних носіїв

0413U001701

Возняк Леся Юріївна

Світловипромінювальні структури на основі трихінолінату алюмінію (Alq3), модифіковані нанорозмірними плівками похідного піразоліну та йодиду міді.