Стороженко И. П. Диоды Ганна на основе соединений А3В5 с гетеропереходом на катодном контакте
English versionДисертація на здобуття ступеня
Державний реєстраційний номер
0496U002432
Здобувач
Спеціальність
- 01.04.03 - Радіофізика
- 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
16-05-1996
Спеціалізована вчена рада
Д 02.02.07
Анотація
Схожі дисертації
0423U100183
Онищенко Андрій Анатолійович
Фрактальний аналіз в методах дистанційного радіозондування геокосмосу
0523U100013
Луньов Сергій Валентинович
Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі
0522U100117
Птащенко Федір Олександрович
Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.
0421U104048
Микитюк Тарас Іванович
Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe
0421U103852
Приходько Кирило Геннадійович
Активні напівпровідникові елементи для генерації в терагерцовому діапазоні