Супруненко В. Н. Оосбенности оптических неравновесных явлений в полупроводниках с амфотерными центрами рекомбинации

Объект исследования: Полупроводниковые материалы, в частности, селенид цинка, легированный Те, примесями собственных компонент, и отожженный в их парах. Цель исследования: Установить физическую природу особенностей люминесцентных свйоств полупроводниковых материалов. Методы исследования и аппаратура: Компьютерное моделирование, практическая спектроскопия: ДФС-24, ДМР-4, ИКС-12, СДЛ-1, ЛГН-402, ЛГИ-21, КСВУ-23, С8-12, IВМ АТ. Теоретические результаты и новизна: Впервые описаны люминесцентные свойства пролупроводников с могозарядными /амфотерными/ центрами рекомбинации. Практические результаты и новизна: Показано, что в компенсированом плупроводнике аномалии люминесценции, обусловленные многозардными центрами не проявляются. Предмет и степень внедрения: Сцинтилляторы, 100. Эффективность внедрения: На 20% улучшены сцинтиляционные свойствацинка. Сфера (область) использования: Полупроводникове приборостроение, оптоэлектроника.