Стадник А. А. Взаимосвязь электрофизических и структурных характеристик поверхностей полупроводников при адсорбции на них элементов Ш-У групп и органических слоев

Объект исследования: Атомарно-чистая поверхность кремния -/110/, адсорбционные системы: /Si /110/-Al,Si/110/-Pb,Si/110/-Sb, а также продупроводник- органический слой. Цель исследования: Исследование структурных и электронных характеристик адсорб ционные систем% Si/110/-Fl, Si/110/-Pb,Si/110/-Sb и полупроводник-органически й слой. Методы исследования и аппаратура: Дифракция медленных электронов, кинетика эффекта поля, спектроскопия выхода фотоэлектронов. Теоретические результаты и новизна: Предложена модель атомарно-чистой поверхности Si/110/, которая объясняет распределение поверхностных состояний в запрещенной зоне. Практические результаты и новизна: Показано отсутствие поверхностной рекомбинации при нанесении монослоев Al, Pb на поверхность Si/110/-"16х2". Предмет и степень внедрения: Результаты могут быть использованы в технологических рекомендациях для улучшения межфазных границ. Сфера (область) использования: Лаборатории предприятий микроэлектронной промышленности.