Панарина И. Ю. Роль термического расширения в формировании электрофизических свойств резистивных толстопленочных композиций на основе системы ВаВ6-LаВ6

English version

Дисертація на здобуття ступеня

Державний реєстраційний номер

0497U000071

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

18-12-1996

Спеціалізована вчена рада

Д 01.88.03

Анотація

Объект исследования: Резистивные толстопленочные композиции на основе системы ВаВ6-LаВ6. Цель исследования: Исследование электрофизических свойств пленки от соотношения термических коэффициентов линейного расширения компонентов пленки. Методы исследования и аппаратура: Электрофизические методы, дилатометрические методики, оптическая микроскопия. Теоретические результаты и новизна: Предложены механизм электропроводности и модель формирования остаточных напряжений в композиции с матричной структурой. Практические результаты и новизна: Разработанная модель механизма электропроводности толстых пленок позволяет обозначить основные направления разработки нового состава паст. Сфера (область) использования: Физическое материаловедение, научные исследования.

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів