Забашта Л. А. Исследование оптических свойств структур полупроводник - поверхностная фаза методом многоугловой эллипсометрии

Объект исследования: Полупроводниковые соединения (GaAs, InP, CdTe, легированная золотом поверхность GaAs), диэлектрическое покрытие. Цель исследования: Исследование птических свойств структур полупроводник - поверхностная фаза с использованием новых подходдов к решению обратной задачи эллипсометрии. Методы исследования и аппаратура: Метод многоугловой эллипсометрии (эллипсометр ЛЭФ_3М), электронная микроскопия (электроный микроскоп УЭМВ-100А). Теоретические результаты и новизна: Разработана методика математической обработки эллипсометрических данных в методе многоугловых измерений на основе впервые предложенной корректной постановки братной задачи эллипсометрии в соотвтствии с принципом регуляризации А.Н.Тихонова. Практические результаты и новизна: впервые методом эллипсометрии проведено исследование свойства полупроводника GaAs. Определена размерная зависимость динамической поляризуемости островков Au на поверхность GaAs. Предмет и степень внедрения: Пакет программ рещшения обратной задачи эллипсометрии. Эффективность внедрения: Совершенствование метода эллипсометрии. Сфера (область) использования: Для совершенствования и контроля технологических процессов создания п3п структур.