Литвин П. М. Перестройка структурных дефектов в монокристаллах и эпитаксиальных структурах на основе GаАs под внешним воздействиеями, выявленная рентгенодифракционными методами

Объект исследования: Монокристаллы и эпитаксиальные системы (ЕС) на основе GaAs. Цель исследования: Изучение механизмов формирования ЕС при разных методах выращивания и перестройки дефектной структуры по внешними воздействиями, путем развития и усовершенствования методов исследования. Методы исследования и аппаратура: Рентгенодифракционные методы, магнетрон, кобальтовая пушка6 ультразвуковой генератор. Теоретические результаты и новизна: Исследованы механизмы формирования структуры ЕС, полученных различными методами, развиты физические представления о перестройке дефектной структуры монокристаллов и ЕС под внешними воздействиями. Практические результаты и новизна: Развиты и усовершенствованы методы исследования; установлена оптимальная концентрация иттербия в расплаве при выращивании ЖФЭ, показана возможность применения мощного СВЧ поля для отжига структурных дефектов и уменьшения уровня напряжений в материале. Предмет и степень внедрения: Оптимизированы Условия ЖФЭ при использовании иттербия; быстропротекающий СВЧ отжиг; методы диагностики. Эффективность внедрения: Повышение эффективности и информативности неразрушающей структурной диагностики полупроводниковых материалов, повышение структурной однородности и радиационной стойкости ЕС, полученных ЖФЭ. Сфера (область) использования: Научноисследовательские организации и предприятия, работающие в области полупроводниковой электроники.