Мельник В. П. Исследование процессов ионно-лучевого синтеза скрытых диэлектрических и полупроводниковых слоев в кремнии

Объект исследования: Скрытые диэлектрические и полупроводниковые слои в кремнии. Цель исследования: Исследование процессов, которые происходят при ионно-лучевом синтезе скрытых диэлектрических и полупроводниковых слоев в кремнии для определения физических механизмов их стимулированного формирования. Методы исследования и аппаратура: Ионная имплантация, электронная микроскопия, Оже-электронная и масс-спектроскопия, ИК-спектроскопия. Теоретические результаты и новизна: Проведено теоретическое моделирование процессов стимулированного формирования тонких скрытых диэлектрических слоев в кремнии. Практические результаты и новизна: Разработан новый медот определения компонентного состава пленок нитрита титана, создана технология управляемого синтеза све. Предмет и степень внедрения: Могут быть использованы при создании радиационностойких ИС. Сфера (область) использования: Предприятия электронной промышленности.