Лищинский И. М. Модификация свойств тонких пленок теллурида свинца в процессе выращивания, радиационного облучения и легирования

Объект исследования: Узкозонные IV-VI соединения. Цель исследования: Исследование электрических параметров тонких пленок РbTe и изучение процессов дефектообразования, с целью модификации их свойств для нужд оптоэлектроники. Методы исследования и аппаратура: Электрические, рентгеноструктурные. Теоретические результаты и новизна: Расширены представления о процессах дефектообразования в пленках PbTe, определены константы равновесия квазихимических реакций легирования пленок PbTe индием. Практические результаты и новизна: Установлены технические режимы выращивания, облучения и легирования пленок PbTe. Предмет и степень внедрения: Технология выращивания пленок методом горячей стенки, ИК-детекторы. Эффективность внедрения: Удешевление и повышение повторяемости результатов при выращивании, легировании и радиационной обработке. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника инфракрасного диапазона.