Даулетмуратов Б. К. Стимулированное лазерным излучением дефектообразование в CdTe и твердых растворах MgхCd1-хTe и СdхHg1-хTe

Объект исследования: CdTe и MgхCd1-х и СdхHg1-хTe. Цель исследования: Исследование процессов образования и перестройки дефектов вприповерхностной области CdTe и твердых растворах MgхCd1-хTe и CdхHg1-хTe под воздействием лазерного облучения наносекундной длительности, особенности фотоэлектрических явлений в условиях разных уровней возбуждения. Методы исследования и аппаратура: Лазерная обработка, ФП, ФЛ, КРС, травление. Теоретические результаты и новизна: Сделана оценка температуры в зоне облучения и глубины образования ударной волны в CdTe. Практические результаты и новизна: Разработан способ изготовления переключающего элемента с памятью на монокристаллах и пленках CdTe под действием ударной волны. Предмет и степень внедрения: Публикации в научных изданиях и материалах конференций. Эффективность внедрения: Метод позволяет получить кристаллы с заданными свойствами. Сфера (область) использования: Лаборатории предприятий полупроводниковой промышленности.