Евдокименко А. В. Рентгенодифракционные исследования процессов дефектообразования в приповерхностных слоях монокристаллов при действии внешних сил

Объект исследования: Кристаллы Si,CdTe, структуры CdHgTe/CdTe. Цель исследования: Экспериментальное и теоретическое исследование структурных изменений в приповерхностных слоях кристаллов после ионного травления и имплантации. Методы исследования и аппаратура: Одно- и двухкристальная рентгеновская дифрактометрия и топография, метод интегральной интенсивности и числовые методы. Теоретические результаты и новизна: В кинематическом приближении теории рассеяния разработана методика и соответствующие алгоритмы расчета распределения деформаций в приповерхностных слоях кристаллов. Практические результаты и новизна: Проведены комплексные рентгенодифракционные исследования распределения деформаций в приповерхностных слоях кристаллов. Разработаны устройства для топографии и дифрактометрии кристаллов в области углов полного внешнего отражения. Предмет и степень внедрения: Рентгеновские методы структурной диагностики совершенства реальных кристаллов. Эффективность внедрения: Возможность выборочного с шагом ~0.01 мкм контроля структурных изменений приповерхностных слоев реальных кристаллов. Сфера (область) использования: Полупроводниковое материаловедение, физика твердого тела.