Возный В. Л. Особенности энергетического спектра и процессов релаксации в прямозонных полупроводниках в условиях ограничения пространственной миграции носителей (экситонов)

Объект исследования: Полупроводниковые квантовые точки PbI2 в цеолите LTL, катионзамещенные смешанные кристаллы ZnxCd1-хS, эпитаксиальные пленки CdS на GaAs. Цель исследования: Поиск эффектов размерного квантования, обнаружение эффектов локализации. Методы исследования и аппаратура: Люминесценция, отражение, диффузное отражение, метод спектроскопии с разделением во времени, КАМАК, УФС-90. Теоретические результаты и новизна: Обнаружены эффекты размерного квантования в системе PBI2 в цеолите типа LTL, обнаружены эффекты локализации экситонов в системе ZnxCd1-xS. Практические результаты и новизна: Данные, полученные для кристаллов ZnxCd1-xS, объемных CdS, эпитаксиальных пленок CdS на GaAs позволяют оценить преимущество и недостатки этих кристаллов как перспективных для оптоэлектроники. Предмет и степень внедрения: Исследование фундаментальных характеристик кластеров PbI2 в цеолите типа LTL. Эффективность внедрения: Заключается в возможности применения этих материалов для создания источников когерентного излучения в сине-зеленом участке спектра, а также элементов оптоэлектроники. Сфера (область) использования: Полупроводники, оптоэлектроника.