Урум Г. Д. Фотоструктурные превращения и деградационные процессы в фоточувствительных аморфных полупроводниках

Объект исследования: Аморфные фоточувствительные слои полупроводников на примере а-Si. Цель исследования: Нахождение оптимальных условий получения полупроводниковых аморфных пленок с функциональными параметрами. Методы исследования и аппаратура: Использовали метод компьютерного моделирования аморфной фазы, молекулярной динамики и решения кинетических уравнений. Теоретические результаты и новизна: Выявлены новые структурные и электронные характеристики а-Si, механизмы диффузии в имплантированных слоях, механизмы фотодеградации фоточувствительных материалов. Практические результаты и новизна: Указаны пути получения однородных аморфных пленок а-Si большой площади, увеличения ресурса фотоэлектронных приборов путем уменьшения эффекта быстрой диффузии и фотодеградации. Предмет и степень внедрения: Рекомендации для уменьшения эффектов фотодеградации фоточувствительных пленок полупроводников использованы в Институте физики НАН Украины и НПП "Орион" (г. Москва). Эффективность внедрения: Уменьшение механических напряжений под действием низкоэнергетичной радиации использовано в НПП "Орион". Сфера (область) использования: Создание фотоэлектронных приборов с высоким кпд и большим ресурсом.