Юхимчук В. О. Оптичні властивості кремнієвих, германієвих і вуглецевих наноструктур, одержаних імплантацією

Дисертація присвячена експериментальному дослідженню оптичних властивостей кремнієвих, германієвих квантових точок та вуглецевих кластерів в SiO2-матриці та дослідженню прихованих шарів SiO2, SiC, SixGe1-x в кремнії, що формувалися за допомогою іонної імплантації та наступного високотемпературного відпалу. Встановлено, що випромінювання Si/SiO2:Si+ зразків в області 620 нм і 740 нм має різну природу. Перша смуга ФЛ має дефектну природу. Друга смуга пов'язана із формуванням кремнієвих квантових точок в SiO2-матриці. Методом спектроскопії КРС оцінено розміри нанокристалітів Si та Ge в SiO2. Встановлено кореляцію між структурними особливостями вуглецевих кластерів в SiO2-матриці та інтенсивністю ФЛ Si/SiO2-структур, імплантованих іонами С+. Оптичними методами встановлено, що відмінність іонних радіусів атомів кисню та вуглецю від іонного радіуса кремнію може бути використана при подвійній імплантації іонів О+ та С+ для ефективного формування в кремнії прихованих шарів SiO2 або SiC. Визначено величини та розподіл механічних напружень в шарах Si, що виникають при іонно-променевому синтезі прихованих SixGe1-x шарів.