Заславський Б. Г. Технологічні основи вирощування лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів із розплавів зі змінною геометрією вільної поверхні.

Обєкт дослідження. Фізичні і хімічні процеси, які лежать в основі вирощування великогабаритних сцинтиляційних лужногалоїдних кристалів. Мета досліджень. Розробка принципів і технологічних основ одержання ве-ликогабаритних сцинтиляційних кристалів, в створенні принципово нових високопродуктивних технологічних процесів вирощування кристалів. Методи дослідження та апаратура. Оптичні та електрохімічні методи. Неcтандартні методи та апаратура для вирощування та дослідження кристалів. Теоретичні та практичні результати, новизна. Розроблено принципи нового автоматизованого методу вирощування лужногалоїдних монокристалів великого діаметра з розплаву зі змінною геометрією його вільної поверхні в тиглях змінного перетину. Мінімізація вільної поверхні розплаву дозволила автоматизувати стадію радіального росту і досягти рівномірного розподілу леткого активатора по всьому об'єму кристала. Розроблено технологічні процеси вирощування радіаційно-стійких і фото стійких сцинтиляційних кристалів. Ступінь впровадження. Нові технологічні процеси та ростове обладнання впроваджено в дослідне виробництво НТК "Інститут монокристалів". Галузь використання. Ядерне медичне приладобудування, експериментальна фізика високих енергій, моніторинг навколишнього середовища.