Фочук П. М. Природа точкових дефектів легованого кадмій телуриду

Дисертація присвячена вивченню процесів утворення і взаємодії точкових дефектів, визначенню їх хімічної природи в монокристалах кадмій телуриду, нелегованого та легованого елементами ІІІА, IVA, VA і VІІA підгруп. На основі теорії квазіхімічних реакцій експериментально визначено домінуючі точкові дефекти у CdTe в областях гомогенності при високотемпературній рівновазі, а також ентальпії впровадження двох власних і трьох домішкових точкових дефектів. Оптимізація набору термодинамічних констант реакцій дефектоутворення дозволила здійснити комп'ютерне моделювання залежності вмісту точкових дефектів від тиску компонентів і температури. Виявлено чотири основних типи поведінки Індію в CdTe, які визначаються, в основному, його концентрацією. Встановлено, що Талій утворює твердий розчин заміщення і виявляє донорну дію. Атоми Германію, Стануму i Плюмбуму утворюють в співмірних кількостях асоціати з вакансіями Кадмію і дефекти заміщення. Стибій заміщує атоми Teлуру, утворюючи центр, розташований на 0.29 еВ вище стелі валентної зони. Легування галогенами приводить до посилення процесів домішкової самокомпенсації і значного збільшення концентрації вакансій Кадмію.