Старжинський М. Г. Фізико-технологічні основи одержання AIIBVI сцинтиляторів, їхні властивості й особливості застосування

Об'єкт дослідження. Фізико-технологічні питання одержання та комплексне дослідження властивостей халькогенідних сцинтиляторів, а також детекторів на їх основі. Мета досліджень. Розработка технологічних аспектів одержання нових типів халькогенідних сцинтиляторів на основі селениду цинку та інших сполук АIIВVI з заданими вихідними параметрами, а також їх застосування в детекторах іонізуючого випромінювання. Методи досліджень та апаратура. Термодинамічне моделювання, оптичні, мас-спектрометричні та спектрально-кінетичні методи. Сучасні прилади, нестандартне та промислове обладнання для вирощування кристалів сполук AIIBVI. Теоретичні та практичні результати, новизна. Розроблені фізико-технологічні методи одержання нових високоефективних халькогенідних сцинтиляторів на основі селеніду цинку та інших сполук AIIBVI з унікальними сцинтиляційними властивостями, а також детектори випромінювань на їх основі. Визначені оптимальні режими підготовки сировини, вирощування кристалів та їх післяростового відпалу. Ступінь впровадження. Нові технології отримання халькогенідних сцинтиляторів впроваджено в дослідно-промислове виробництво Інституту сцинтиляційних матеріалів. Галузь використання. Сучасні галузі радіаційного приладобудування, радіографія, мультиенергетична інтроскопія.