Кудін О. М. Розробка науково-технологічних основ модифікації поверхні кристалів для корегування їх сцинтиляційних характеристик

Розроблено науково-технологічні основи модифікації поверхні кристалів для корегування їх сцинтиляційних характеристик. Показано, що модифікація відбиваючих поверхонь кристалів є ефективним методом покращення спектрометричних характеристик сцинтиляторів незалежно від їх геометричних розмірів. Показано, що основний внесок у власне розділення сцинтилятору вносить складова, що пов'язана з неоднорідністю коефіцієнта світлозбору. Доказано можливість та ефективність конвертування люмінесценції кристалів CsI, CsI:Na і CsI:Tl за допомогою плівкових конверторів в область меншого поглинання і заломлення кристала та більшої чутливості фотоприймачів. На основі розроблених кремнійорганічних конверторів з органічними люмінесцентними домішками і адаптованої до нанесення покриттів технології обробки поверхні кристалів запропоновано новий метод вирівнювання осьової неоднорідності світлового виходу, який значно покращує енергетичне розділення кристалів CsI, збільшує вихід швидкого компоненту сцинтиляцій і його внесок досумарного виходу. Обґрунтовано необхідність нанесення захисних покриттів після релаксації спотвореного шару кристалів, показано, що для сцинтиляторів CsI з захищеною поверхнею наведена радіацією смуга поверхневого поглинання не спостерігається до критичної дозі опромінювання.