Іваницький В. П. Механізми формування стохастично неоднорідної структури аморфних халькогенідів систем AIV-BV-XVI

Об'єкт досліджень: тонкі аморфні плівки товщиною від 10 нм до 1 мкм та відколки стекол товщиною 100 - 200 нм подвійних і потрійних халькогенідних систем. Мета досліджень. Розв'язання наукової проблеми щодо встановлення загальних закономірностей і механізмів формування стохастичних неоднорідностей структури різного масштабного рівня в аморфних халькогенідах систем АIV-ВV-ХVI. Методи досліджень. Осадження тонких аморфних плівок методами вакуумного випарення; ультрамікротомування стекол; атомно-силова та просвічуюча електронна мікроскопія, електронографія; хвилеводні оптичні методи. Результати, новизна. Встановлено закономірності прояву стохастичних неоднорідностей структури аморфних плівок та стекол на всіх масштабних рівнях: ближнього порядку, проміжного порядку, мезоскопічному, наноструктури та мікроструктури. Експериментально та теоретично доведено домінуючу роль при утворенні структури аморфних плівок халькогенідів складних молекулярних комплексів та багато-атомних частинок парового потоку. Встановлені основні класи неодно-рідностей нано- та мікроструктури, які реалізуються в аморфних халькогенідах і які подібні до будови фрактальних та кластерних систем, що самоорганізуються на наномас-штабному рівні. Експериментально досліджені нові законо-мірності впливу стохастичних структурних неоднорідностей різного масштабу на електричні та оптичні параметри аморфних халькогенідів, процеси часової релаксації, спонтанні та стимульовані їх зміни. Галузь використання. Фізика твердого тіла