Долголенко О. П. Ефекти кластеризації радіаційних дефектів в атомарних і бінарних напівпровідниках.

Дисертацію присвячено дослідженню ефектів, викликаних процесами взаємодії високоенергетичного ядерного випромінювання (швидких нейтронів реактора, електронів і протонів з енергією 50 МеВ та 24 ГеВ протонів) з атомарними та бінарними напівпровідниками (Si, InSb, InP, Si<Ge>, Cu2Se), вивченню зміни їх електрофізичних властивостей за рахунок ефектів кластеризації радіаційних дефектів як у процесі опромінювання, так і в процесі термічного відпалу. У роботі розв'язано проблему взаємодії радіаційних дефектів з екрануючими центрами в областях просторового заряду кластерів дефектів. На основі її вирішення розраховано ефективну концентрацію носіїв у залежності від температури і дози опромінення n і p Sі високоенергетичними ядерними частинками у рамках уточненої моделі кластерів дефектів; запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості ядерних детекторів шляхом легування n Sі донорними домішками (хромом чи сіркою); визначено критерії радіаційної стійкості, термічної стабільності кластерів дефектів і окремих простих дефектів; досліджено модифікацію радіаційних дефектів за рахунок фонових домішок вуглецю і кисню; знайдено енергетичне положення міжвузлових атомів кремнію в забороненій зоні кремнію; пояснено експериментально визначену високу ймовірність утворення кластерів, створених протонами з енергією 24 ГеВ, а також малу енергію активації їх відпалу кластеризацією радіаційних дефектів.