Салій Я. П. Формування підсистеми дефектів структури і електричні властивості плівок сполук IV-VI.

Дисертація присвячена дослідженню формування підсистеми дефектів структури під час вирощування, леґування, опромінення, термічного відпалу та її впливу на електричні властивості тонких напівпровідникових плівок сполук IV-VI зі структурою типу NaCl експериментальними, теоретичними і методами комп'ютерного моделювання процесів. Для моделювання методом молекулярної динаміки кристалів і їх дефектної підсистеми однозначно вибрано потенціонал міжатомної взаємодії з використанням запропонованого безрозмірного параметру. Встановлено, що кластери бінарної сполуки з протилежно зарядженими йонами набувають структури типу NaCl. Розраховано рівновагові концентрації дефектів в плівках PbSe, Pb1-xSnxTe, PbTe: In і PbTe: Ga за апріорними сталими рівноваги квазіхімічних реакцій, взятих з зонної теорії. В рамках моделі захоплення рухливих міжвузлових атомів на пастки пояснено залежності електричних властивостей від флюенса в -опромінених полікристалічних плівках p-PbSe, досліджено температурні залежності елетричних властивостей опромінених монокристалічних плівок n-PbSe. У наближенні теорії кінетики квазіхімічних реакцій визначені характерні час і енергії активації процесів міграції дефектів під час ізотермічного відпалу на повітрі в полікристалічних плівках n-PbTe. На основі дифузійної кінетики пояснена неоднорідність розподілу концентрації дефектів в ізотермічно відпалених у вакуумі плівках p-PbS. Для обґрунтування розмірних ефектів запропоновано модель плівки з розподіленими параметрами. Методом кліткових автоматів змодельовано і досліджено процеси формування поверхневих острівців з фрактальною межею