Кривоносов Є. В. Вирощування Ті-сапфіра у вуглецевому середовищі для перенастроюваних по частоті лазерів

Дисертацію присвячено розробці технологічних основ вирощування монокристалів Ti-сапфіра у вуглецевому середовищі для перенастроюваних по частоті лазерів і створенню нових технологічних методів, що підвищують якість активних лазерних елементів. Проведено комплексні дослідження впливу технологічного газового середовища з різним відновним хімічним потенціалом на оптичні, структурні та механічні характеристики монокристалів Al2O3:Ti (Ti-сапфіра). Досліджена дія ультразвуку різної частоти на скупчення газових міхурів у розплаві та утворення пір в сапфірі. Досліджено природу і механізм утворення субмікронних та огранованих мікронних включень в кристалах Ti-сапфіра, вирощених у вуглецевому середовищі. Розглянуто технологічні можливості методів Чохральського, Степанова та горизонтальної спрямованої кристалізації для вирощування кристалів Ti-сапфіра лазерного призначення. Запропоновано технічні рішення для покращення якості вирощених кристалів. Досліджено сцинтиляційні властивості Ti-сапфіра з різним вмістом активатору. Встановлено, що вміст титана у кристалі на рівні 600-800 ppm забезпечує максимальний світловий вихід сцинтиляції Ti-сапфіра і дозволяє його використовування для детекторів виявлення електронів, альфа-частинок і теплових нейтронів.