Остапчук П. М. Кінетика радіаційно-індукованих процесів в кристалах

Об'єкт: вакансійні та газові пори, що утворюються у металах та сплавах під дією опромінювання і обумовлюють їх радіаційне розпухання. Мета: визначення управляючих механізмів, побудова їх фізичних моделей та відповідних обчислювальних схем опису закономірностей радіаційно-індукованих процесів росту пор та пластифікації кристалів, що спостерігаються експериментально. Методи: у розрахунках використовувалися як традиційні, добре апробовані рівняння математичної фізики та методи їх розв'язування (основне рівняння теорії пружності, рівняння Фоккера-Планка, рівняння еліптичного типу з різними граничними умовами, метод функцій Гріна та ін), так і нетрадиційні: теорія коалесценції Ліфшиця - Сльозова, метод Ліфшиця - Розенцвейга. Результати: Для слабоанізотропних кубічних кристалів одержано коректний аналітичний вираз лінійної по параметру анізотропії поправки до ізотропних компонент тензора Гріна основного рівняння теорії пружності. Для гексагональних щільноупакованих кристалів одержано аналітичні вирази компонент тензора Гріна у загальному виді. На відміну від кубічних кристалів вони є точними і мають однаковий вигляд як для чисто уявних, так і для комплексних полюсів теорії вичитів, а тому охоплюють весь спектр гексагональних кристалів. Показано граничний перехід до ізотропного наближення. Виходячи з тензору Гріна слабоанізотропних кубічних кристалів одержано аналітичний вираз для енергії пружної взаємодії центра дилатації зі сферичною порою. Галузь використання: фізика твердого тіла, радіаційна фізика