Кондратенко С. В. Фотогенерація і рекомбінація нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових наногетероструктурах Si1-xGex/Si та InxGa1-xAs/GaAs

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0513U000791

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.05 - Оптика, лазерна фізика

25-06-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 26.001.23

Київський національний університет імені Тараса Шевченка

Анотація

Вивченно процеси фотогенерації та рекомбінації нерівноважних носіїв заряду і встановленні механізми фотопровідності у напівпровідникових гетероструктурах SiGe/Si та InGaAs/GaAs з квантово-розмірними об'єктами. Вперше визначено і розділено роль квантових осередків, з одного боку, і інтерфейсу, з іншого, в ефектах провідності та фотопровідності. Показано, що обмін носіїв заряду між цими підсистемами визначає механізм фотопровідності епітаксіальних гетеросистем з нанорозмірними об'єктами. Доведено існування варіацій електростатичного потенціалу та встановлена їхня роль в ефектах залишкової провідності та оптичного гасіння провідності.

Файли

Схожі дисертації